氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，是“功率”与“频率”的结合体，具有极高的击穿场强、高电子饱和速度、耐高温等特点。在高电压、大电流的功率处理能力上具有统治级优势。随着5G/6G基站建设和新能源汽车的普及，GaN正在从“特种材料”走向“主流功率器件”的舞台中央，广泛用于AI服务器数据中心、机器人、5G/6G基站等。
产品类别以及应用:氮化镓HEMT、RF芯片
氮化镓外延片
产品名称 : 氮化镓外延片。
产品类型 : HEMT、RF、其他。
产品指标 : 低电压大电流。
产品名称 : 氮化镓外延片。
产品类型 : HEMT、RF、其他。
产品指标 : 低电压大电流。
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，是“功率”与“频率”的结合体，具有极高的击穿场强、高电子饱和速度、耐高温等特点。在高电压、大电流的功率处理能力上具有统治级优势。随着5G/6G基站建设和新能源汽车的普及，GaN正在从“特种材料”走向“主流功率器件”的舞台中央，广泛用于AI服务器数据中心、机器人、5G/6G基站等。
产品类别以及应用:氮化镓HEMT、RF芯片