技术专利

凭借扎实的产业基础,打造面向未来的化合物半导体技术与服务生态。

专利名称 申请号
一种基于化合物半导体材料紫外VCSEL芯片及制作方法2021103471872
一种用于氧气传感的VCSEL外延结构及其制作方法2026100673165
一种化合物半导体材料的HBT外延结构及其制备方法2021110452715
一种紫外LED外延结构及其制备方法2021105235075
一种基于第三代半导体GaN材料的HEMT外延器件及其生长方法2021108976996
一种大功率紫外LED的外延生长方法2021101632263
一种大功率垂直结构紫外LED芯片的设计和制作方法2021101624604
一种量子微纳结构光电子芯片及其制造方法2021105014087
一种双面型三维HEMT器件及其制备方法202110838619X
一种集成混合材料高电子迁移率晶体管及其制备方法2021109989086
一种碳化硅基石墨烯材料的HEMT芯片及其制备方法202111399628X
一种半导体晶体管及其制备方法2021111886406
一种螺杆式水冷冷水机组装置及低温运行方法2026102267005
一种高砷高盐废水排放装置及低温运行方法2026101701548
一种光电芯片导电层结构2023212083705
一种高电子迁移率晶体管2023212084816
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